Name: TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA
Brand: SOCAY
SKU: P0080TB
Rating: 4.6 (175 reviews)

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Eigenschaften

Technische Daten

Artikel: TSS-Dioden

Packungsart: DO-214AC/SMA

VDRM (Min.): 6V

IDRM: 5 μA

Versus @100V/μS (max.): 25 V

Ist (max.): 800mA

Bei der Prüfung der Leistungsfähigkeit ist die Leistung zu messen.: 4V

Es (Max.): 2.2A

Ich bin nicht sicher, ob das stimmt.: 50mA

C0 @1MHz,2V Bias (Typ.): 130pF

Hervorheben:

TSS-Tyristor-Überspannungsunterdrücker

Thyristor Überspannungsschutzgeräte P0080TB

Halbleiterkomponente DO-214AC

Grundinformation

Herkunftsort: Shenzhen, Guangdong, China

Markenname: SOCAY

Zertifizierung: REACH,RoHS,ISO

Modellnummer: P0080TB

Dokument: Produktbroschüre PDF

Zahlung und Versand AGB

Verpackung Informationen: AMMO-Verpackungsmasse

Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage

Galerie

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA

Produkt-Beschreibung

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA

Datenblatt:PXXX0TB_v2101.2.pdf

Teil des Datenblatts wie unten

Teilnummer	Markierung	V_DRM @ Ich_DRM=5 μA	V_S① @100V/μS	Ich..._S	V_T @ Ich_T=2,2A	Ich..._T	Ich..._H	C0② @ 1MHz, 2Vbias
		V Min.	V MAchse.	mA MAchse.	V maximal.	Einemaximal.	mA Min..	pFTyp.
P0080TB	P008B	6	25	800	4	2.2	50	130
P0220TB	P22B	15	30	800	4	2.2	50	120
P0300TB	P03B	25	40	800	4	2.2	50	120
P0640TB	P06B	58	77	800	4	2.2	120	80
P0720TB	P07B	66	87	800	4	2.2	120	75
P0900TB	P09B	75	98	800	4	2.2	120	70
P1100TB	P11B	90	130	800	4	2.2	120	70
P1300TB	P13B	120	160	800	4	2.2	120	60
P1500TB	P15B	140	180	800	4	2.2	120	55
P1800TB	P18B	170	220	800	4	2.2	120	50
P2300TB	P23B	190	260	800	4	2.2	120	50
P2600TB	P26B	220	300	800	4	2.2	120	45
P3100TB	P31B	275	350	800	4	2.2	120	45
P3500TB	P35B	320	400	800	4	2.2	150	40
Anmerkungen: 1 V_Swird bei 100 KV/s gemessen; 2 Die Ausfallkapazität wird in V gemessen._DC=2V, V_RMS=1V, f=1MHz.

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA 0

Eigenschaften:

L Oberflächenbefestigungsdesign optimiert die Platzanwendung

l Reagieren schnell auf schnell steigende transiente Spannungen

Parameter	Symbol	Wert	Einheit
Speichertemperaturbereich	T_Stg	-60 bis +150	°C
Betriebstemperaturbereich der Kreuzung	T_j	-40 bis +150	°C
Wiederholter Spitzenimpulsstrom	Ich..._PP	80	Eine

Parameter	Definition
Ich..._S	Wechselstrom- maximaler Strom, der für den Wechsel zum eingeschalteten Zustand erforderlich ist
Ich..._DRM	Leckstrom- maximaler Spitzenstrom im Ausfallzustand bei V gemessen_DRM
Ich..._H	Aufbewahrungsstrom- Mindeststrom, der zur Aufrechterhaltung des Zustands erforderlich ist
Ich..._T	Strom im Betriebszustand- maximaler Nennstrom im Betriebszustand
V_S	Schaltspannung- maximale Spannung vor dem Einschalten auf stat
V_DRM	Höchstspannung außer Betrieb- maximale Spannung, die bei ausgeschaltetem Zustand angewendet werden kann
V_T	Anlaufspannung- maximale Spannung bei Nennstrom im eingeschalteten Zustand gemessen
C₀	Leistung außerhalb des Zustands- typische Kapazität, gemessen im ausgeschalteten Zustand

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA 1

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA 2

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA 3

TSS Thyristor Überspannungsunterdrücker P0080TB Halbleiterkomponente DO-214AC SMA 4

Einzelheiten der Verpackung

Umriss	Spulen (pcs)	Pro Karton (pcs)	Durchmesser der Rollen (mm)
Aufnahme	5,000	80,000	330

Auswahlverfahren

1,Um das Produkt des Kunden, die Betriebsspannung, den Anwendungsanschluss, den Schutzniveau zu kennen.

2,Brückenspannung > Gleichspannungs-Betriebsspannung der Schaltung.

3"Wählen Sie den Kapazitätsabstand und die Durchflussgeschwindigkeit des Geräts entsprechend dem Anwendungsanschluss und dem Schutzniveau aus.

Größe und Tag:

Ansprechpartner :	Sun
Telefon :	+8618126201429
Faxen :	86-755-88362681

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