| Teilname | Mehrschichtiger Chip Varistor |
|---|---|
| Komponentenpaket | SMD1812 |
| Maximale Gleichspannung | 385V |
| Vv (Min.) | 423 V |
| Vv (max.) | 517 V |
| TSS-Name | Thyristor-Überspannungsunterdrücker (TSS) |
|---|---|
| Artikel | TSS-Dioden |
| Komponente | Thyristor-Überspannungsschutzgeräte |
| Beschreibung | Thyristor-Überspannungsunterdrücker (TSS) |
| Maximaler Leckstrom | weniger als 5 μA |
| Produktbezeichnung | Gasentladungsrohr |
|---|---|
| Größe | 5*5*4,2 mm |
| Gleichspannung @100V/μs | 800V ± 20% |
| Max. Impulsspannung @100V/μs | 1200 V |
| Max. Impulsspannung @1KV/μs | 1400 V |
| Produktbezeichnung | Gasentladungsrohr |
|---|---|
| Größe | φ8*6 mm |
| Gleichspannung @100V/μs | 230V±20% |
| Max. Impulsspannung @100V/μs | 600 V |
| Max. Impulsspannung @1KV/μs | 700V |
| Produktbezeichnung | Mehrschichtiger Chip Varistor |
|---|---|
| Packungsart | SMD0402 |
| Vdc (max.) | 5.5V |
| Vv (Min.) | 7,6 V |
| Vv (max.) | 12 V |
| Speichertemperatur | -40°C bis +90°C |
|---|---|
| Gleichspannung @100V/μs | 360V ± 20% |
| Min. Isolierwiderstand | 1GΩ (@100V) |
| Typ der Montage | THT |
| Vorteile | 1Vor dem Ausfall (Leitung) entspricht es einem offenen Stromkreis mit einem großen Widerstand und ke |
| Packungsgröße | DO-214AC/SMA |
|---|---|
| Komponente | Thyristor-Überspannungsschutzgeräte |
| Artikel | TSS-Dioden |
| Maximaler Leckstrom | weniger als 5 μA |
| TSS-Name | Thyristor-Überspannungsunterdrücker (TSS) |
| Vbr | 6.0V |
|---|---|
| Rohs Compliant | Yes |
| Package | SOT-26 |
| Junction Capacitance | 1.0 PF |
| Application | SIM Ports, USB 2.0 Power And Data Line Protection |
| Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -65 bis +125°C |
|---|---|
| Durchschnittlicher Korrekturstrom bei TA=75°C | 2A |
| Höchstspannung RMS | 42 V |
| Maximale sich wiederholende Höchstsperrspannung | 60 V |
| Maximale Blockierspannung DCs | 60 V |
| Produktbezeichnung | Gasentladungsrohr |
|---|---|
| Größe | 5*5*4,2 mm |
| Gleichspannung @100V/μs | 350 V ± 20% |
| Max. Impulsspannung @100V/μs | 700 V |
| Max. Impulsspannung @1KV/μs | 800 V |