150 V Schottky-Barrierediode SBD115D1 30 μA Umkehrleckstrom

Beschreibung des Produkts:

Die Schottky-Barriere-Diode ist eine Diode, die aus einer Metall-Halbleiterschnittstelle besteht. Diese Verbindung hat einen geringeren Vorwärtsspannungsabfall als eine normale Diode.so dass es ideal für den Einsatz in NiederspannungsanwendungenDie maximale Vorwärtsspannung bei IF=1A für diese Diode beträgt 0,85 V.

Die Schottky-Barrierediode hat auch eine typische Verbindungskapazität bei VR = 0V von 85pF. Diese Bewertung gibt die Ladungsmenge an, die in der Verbindung der Diode gespeichert werden kann.Diese Eigenschaft ist in Hochfrequenzkreisen wichtig, wo die Kapazität der Diode die Leistung der Schaltung beeinflussen kann.

Die Schottky-Barrierediode eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Schaltkreisen, darunter Stromversorgungen, Spannungsregler und Batterieladegeräte.Der geringe Vorwärtsspannungsabfall und die schnelle Schaltgeschwindigkeit der Diode machen sie ideal für Schaltkreise, die hohe Effizienz und schnelle Reaktionszeiten erfordern.

Diese Diode hat einen Betriebstemperaturbereich von -55 bis +150 °C.Dieser Temperaturbereich gibt den Temperaturbereich an, in dem die Diode ohne Beschädigung arbeiten kannEs ist wichtig sicherzustellen, daß die Diode nicht Temperaturen ausgesetzt wird, die außerhalb dieses Bereichs liegen.

Zusammenfassend sind die Oberflächen-Mount-Schottky-Schrankenrichter eine Art Niederspannungsrichterdiode, die in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.Diese Diode arbeitet mit einer maximalen Gleichspannung von 150 V und einem durchschnittlichen Korrekturstrom von 1 ADie Diode hat eine maximale Vorwärtsspannung bei IF=1A von 0,85 V und eine typische Knotenkapazität bei VR=0 V von 85 pF.Die Betriebstemperatur der Diode und die Lagertemperatur liegen zwischen -55 und +150 °C, so dass es für den Einsatz in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen geeignet ist.

Eigenschaften:

• Produktbezeichnung: Schottky-Barrierediode
• Hohe Vorwärtsspannung Halbleiter
• Niederspannungsgerechtigungsdiode
• Maximale Vorwärtsspannung bei IF=1A: 0,85V
• Maximale Umlaufspannung: 105 V
• Durchschnittlicher Gerüststrom: 1A
• Typische Knotenkapazität bei VR=0V: 85 pF
• Umgekehrter Leckstrom bei VRRM: 30μA
• Dioden

Technische Parameter:

Dieses Produkt ist eine elektrostatische Diode mit einem hohen Vorwärtsstrom Halbleiter.

Anwendungen:

Die SBD115D1 ist eine Brückenrichterdiode, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist, einschließlich Stromversorgungen, Batterieladegeräten und Wechselrichtern.Die Diode ist in der Lage, Niederspannungsschaltungen effizient zu verarbeiten.

Die Diode verfügt über einen geringen Umkehrleckstrom von 30 μA und einen durchschnittlichen Gerüststrom von 1 A, was sie zu einer idealen Wahl für Anwendungen der Niederspannungsgerüstung macht.Die maximale Vorwärtsspannung bei IF=1A beträgt 0.85V, um einen geringen Leistungsverlust während des Betriebs zu gewährleisten.

Die typische Verbindungskapazität bei VR=0V beträgt 85 pF, was die Diode für Hochfrequenzanwendungen geeignet macht.Die SBD115D1 ist eine zuverlässige und effiziente Lösung für Niederspannungsanpassungen, die einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und einen geringen Leistungsverlust erfordern.

Häufige Fragen:

F: Wie heißt diese Schottky-Barrierediode?

A: Der Markenname dieser Schottky-Schrankendiode ist Socay.

F: Wie lautet die Modellnummer dieser Schottky-Schrankendiode?

A: Die Modellnummer dieser Schottky-Barrierediode lautet SBD115D1.

F: Wo wird diese Schottky-Barrierediode hergestellt?

A: Diese Schottky-Barrierediode wird in Shenzhen, China, hergestellt.

F: Welche Zertifizierungen hat diese Schottky-Schrankscheibe?

A: Diese Schottky-Barrierediode ist REACH-, RoHS- und ISO-zertifiziert.

F: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für diese Schottky-Schrankendiode?

A: Die Mindestbestellmenge für diese Schottky-Schrankendiode beträgt 3000 Stück/Regel.

F: Wie ist diese Schottky-Barrierediode verpackt?

A: Diese Schottky-Barriere-Diode ist in einer 7-Zoll-Plastikrolle verpackt.